Aparell experimental d'efecte magnetoresistiu LEEM-8

Nota: oscil·loscopi no inclòs

El dispositiu té una estructura senzilla i un contingut ric. Utilitza dos tipus de sensors: el sensor GaAs Hall per mesurar la intensitat d’inducció magnètica i estudiar la resistència del sensor de magnetoresistència InSb sota una intensitat d’inducció magnètica diferent. Els estudiants poden observar l’efecte Hall i l’efecte de magnetoresistència dels semiconductors, que es caracteritzen per investigacions i experiments de disseny.

Experiments

1. Estudieu el canvi de resistència d'un sensor InSb enfront de la intensitat del camp magnètic aplicat; trobeu la fórmula empírica.

2. Representar la resistència del sensor InSb vs la intensitat del camp magnètic.

3. Estudieu les característiques de corrent altern d’un sensor InSb sota un camp magnètic feble (efecte de duplicació de freqüència).

Especificacions