Làser Semiconductor LTS-7
| Introducció | |
| 1 | Aquest làser semiconductor es pot utilitzar en experiments òptics, com ara òptica de geometria, interferència, difracció, polarització, etc. |
| 2 | Longitud d'ona làser: ample de banda de 650 nm: potència de sortida de 0,2 nm: 3-40 mw (opcional) |
Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho
