Làser semiconductor LTS-7
| Introducció | |
| 1 | Aquest làser semiconductor es pot utilitzar en experiments òptics, com ara òptica geomètrica, interferències, difracció, polarització, etc. |
| 2 | Longitud d'ona del làser: 650 nm, amplada de banda: 0,2 nm, potència de sortida: 3-40 mw (opcional) |
Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-el
